在本文中，被生中国科学技术大学谢毅院士、被生孙永福教授等人总结了具有缺陷水平和中间带的超薄二维半导体以及具有特殊部分占位带的导体所具有的扩展吸收光谱范围。

Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中，活触常用的形貌表征主要包括了SEM，活触TEM，AFM等显微镜成像技术。近年来国际知名期刊上发表的锂电类文章要不就是能做出突破性的性能，瞬间要不就是能把机理研究的十分透彻。

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